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“三高”碳化硅,新能源汽车应用将高速增长

发布时间:2019-12-11 11: 34 4.09K

在2019年11月6日至8日在上海举行的中国汽车工程学会年会暨展览会(SAECCE)上,世界知名的半导体制造商Rom(总部设在日本京都)展示了许多新产品。与此同时,“新能源汽车与混合动力技术分论坛”,罗马半导体(北京)有限公司设计中心主任水原德建先生发布了“新能源汽车用SiC(SiC)解决方案”该计划的主题“rdquo;会后,Suwon Dejian还接受了汽车制动网络对汽车行业SiC应用优势和趋势的独家采访。

 

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Suwon Dejian在“中国汽车工程学会年会暨展览会(SAECCE)”上发表演讲

 
众所周知,半导体工业经历了三个发展阶段。第一代半导体材料由硅(Si)表示;第二代半导体材料砷化镓(GaAs)也被广泛使用;半导体材料由宽带隙表示,例如氮化镓(GaN),碳化硅(SiC)和氧化锌(ZnO)。与前两代产品相比,第三代半导体材料具有高击穿电场,高饱和电子速度,高导热率,高电子密度,高迁移率等,非常适合高温,高频,辐射电阻和大功率元件。
 
第三代半导体材料SiC“三高”颜色: rgb(102,102,102); font-family: Microsoft Yahei,Tahoma,Verdana,Arial,sans-serif; line-height: 24px;' /> 根据Suwon Dejian的说法,与Si材料相比,第三代SiC具有“三高(高温,高压,高频)”的综合优势。在耐高温性方面,SiC材料可以达到250°C,比Si高50°C。使用SiC材料,器件的散热器可以设计得更小,并且器件的尺寸更紧凑(重量轻)。就高耐压性而言,Si材料的压力瓶颈约为900V。虽然它可以在1200V甚至1500V下工作,但性能特性会降低。如果要达到1700V或更高,则必须使用第三代SiC。材料。因为SiC材料的击穿场强(Breakdown Electriic Field)指标几乎可以达到Si的10倍。在高频响应方面,SiC材料的开关速度更快,因此器件中的电阻,电感和线圈可以更小,更紧凑的尺寸满足系统要求。其中,线圈的尺寸可以减小到原来的1/10。